SRAM

"E³ (E-Cube) Series" SRAMコンパイラ

概要

Ecological, Efficient, Easy-t-UseなE3 Series SRAMコンパイラは弊社が独自に開発したセルフ・バックバイアス技術（特許申請中）によりスタンバイ時のリーク電流を従来比で80％以上削減した超低リークSRAMを生成することが可能です。この動作をハイバネーションモード（HBM）と呼び、このモードによりモバイル系などスタンバイ動作時に消費するリーク電流の削減に有効なソリューションを提供致します。また電源１系統というシンプルな構造であるため、従来のSRAMの使用方法を変更せずに簡単にご利用頂けます。

HBMの特徴

- SRAM内部状態を保持したまま、スタンバイ時のリークを削減可能
　この技術は電源遮断とは異なり、書き込んだデータ、読み出していた出力信号までも、安全に、かつ完全に、前の状態に復帰させることが可能です。新たなシステム側での制御が不要であり、容易に利用することが可能です。
- 面積が増加しない
　この技術の特徴として、追加した回路による面積増加させることなく、
　小面積でありながらもリーク削減に有効な点にあります。
- スタンバイからの高速復帰

SRAM回路全体の最適化

トータルな低消費電力を実現するために、様々な回路の最適化技術を用いて最適化を実施。

- マルチVth Tr の使用、Trサイズの最適化
- センスアンプ動作の最適化
- クロック信号の制御技術

など、リーク削減のみならず、トータルな低消費電力SRAM回路を提供致します。

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